Name: AFT09MS007NT1, РЧ полевой транзистор, 30 В DC, 114 Вт, 136 МГц, 941 МГц, PLD-1.5W
Brand: NXP Semiconductor
SKU: AFT09MS007NT1

AFT09MS007NT1, РЧ полевой транзистор, 30 В DC, 114 Вт, 136 МГц, 941 МГц, PLD-1.5W

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP AFT09MS007NT1, РЧ полевой транзистор ...

Подробное описание

Бренд: NXP Semiconductor

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.3
Информация о производителе
Производитель	NXP Semiconductor
Бренд	NXP Semiconductor

Все характеристики

1 060 ₽

– +

Бонус: 21.2 !

Бонусная программа

Итого: 1 060 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

TRANSISTOR, RF, 30V, PLD-1.5W-2; Drain Source Voltage Vds:30VDC; Continuous Drain Current Id:-; Power Dissipation Pd:114W; Operating Frequency Min:136MHz; Operating Frequency Max:941MHz; RF Transistor Case:PLD-1.5W; No. of Pins:2Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.3
Информация о производителе
Производитель	NXP Semiconductor
Бренд	NXP Semiconductor
Основные
application	VHF/UHF
automotive	No
channel mode	Enhancement
channel type	N
чувствительный к влажности	Yes
configuration	Single
eccn (us)	EAR99
eu rohs	Compliant with Exemption
frequency (max)	941(MHz)
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
maximum drain source voltage (v)	30
maximum frequency (mhz)	941
maximum gate source leakage current (na)	1
maximum gate source voltage (v)	12
maximum gate threshold voltage (v)	02.06.2024
maximum idss (ua)	10
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation (mw)	182000
maximum vswr	65
minimum frequency (mhz)	136
minimum operating temperature (°c)	-40
mode of operation	CW
mounting	Surface Mount
number of elements	1
number of elements per chip	1
operating temp range	-65C to 150C
output power (w)	7.3(Typ)
package type	PLD-1.5W
packaging	Tape and Reel
партномер	8812961390
part status	NRND
pcb changed	3
pin count	3
power dissipation (max)	182000(mW)
ppap	No
process technology	LDMOS
рабочая частота	870 MHz
rad hardened	No
screening level	Military
supplier package	PLD-1.5W
typical drain efficiency (%)	71
typical forward transconductance (s)	09.08.2024
typical input capacitance @ vds (pf)	107@7.5V
typical output capacitance @ vds (pf)	56@7.5V
typical power gain (db)	15.6(Max)
typical reverse transfer capacitance @ vds (pf)	2.7@7.5V
Время загрузки	1:22:40
выходная мощность	7.3 W

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

NXP Semiconductor Транзисторы биполярные (BJTs)AFT09MS007NT1