AC847BWQ-7, 45V 200mW 200@2mA,5V 100mA NPN SOT3233 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AC847BWQ-7
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes AC847BWQ-7, 45V 200mW 200@2mA,5V 100mA NPN ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
13
+
Бонус: 0.26 !
Бонусная программа
Итого: 13
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
частота перехода ft300МГц
continuous collector current100мА
dc усиление тока hfe200hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.450
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
линейка продукции-
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
минимальная рабочая температура65 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
непрерывный коллекторный ток100 mA
партномер8007349560
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation200мВт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
стиль корпуса транзистораSOT-323
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-323-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:03:56
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль