55GN01CA-TB-E, Транзистор: NPN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 55GN01CA-TB-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 55GN01CA-TB-E, Транзистор: NPN
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
56
+
Бонус: 1.12 !
Бонусная программа
Итого: 56
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:20 V
collector- emitter voltage vceo max:10 V
configuration:Single
continuous collector current:5 mA
dc collector/base gain hfe min:100
dc current gain hfe max:180
emitter- base voltage vebo:3 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:4.5 GHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:70 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:+25 C
mounting style:SMD/SMT
operating frequency:5.5 GHz
operating temperature range:+25 C to+150 C
package / case:CP-3
партномер8017549916
pd - power dissipation:200 mW
product category:RF Bipolar Transistors
product type:RF Bipolar Transistors
series:55GN01CA
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
transistor type:Bipolar Power
type:RF Bipolar Power
Время загрузки1:36:47
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль