50A02SS-TL-E, Trans GP BJT PNP 50V 0.4A 200mW 3-Pin SSFP T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:50A02SS-TL-E
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT PNP 50V 0.4A 200mW 3-Pin SSFP T/R
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
automotive
No
configuration
Single
eccn (us)
EAR99
eu rohs
Compliant
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
material
Si
maximum base emitter saturation voltage (v)
1.2@10mA@100mA
maximum collector base voltage (v)
50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)
0.12@10mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)
50
maximum dc collector current (a)
0.4
maximum emitter base voltage (v)
50
maximum operating temperature (°c)
150
maximum power dissipation (mw)
200
maximum transition frequency (mhz)
690(Typ)
minimum dc current gain
200@10mA@2V
minimum operating temperature (°c)
-55
mounting
Surface Mount
number of elements per chip
1
packaging
Tape and Reel
партномер
8001016483
part status
Obsolete
pcb changed
3
pin count
3
ppap
No
product category
Bipolar Small Signal
supplier package
SSFP
type
PNP
Время загрузки
0:23:06
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26