50A02SS-TL-E, Trans GP BJT PNP 50V 0.4A 200mW 3-Pin SSFP T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 50A02SS-TL-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 50A02SS-TL-E, Trans GP BJT PNP 50V 0.4A 200mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
10
+
Бонус: 0.2 !
Бонусная программа
Итого: 10
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT PNP 50V 0.4A 200mW 3-Pin SSFP T/R
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
configurationSingle
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.2@10mA@100mA
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.12@10mA@100mA
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum dc collector current (a)0.4
maximum emitter base voltage (v)50
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)200
maximum transition frequency (mhz)690(Typ)
minimum dc current gain200@10mA@2V
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
packagingTape and Reel
партномер8001016483
part statusObsolete
pcb changed3
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Small Signal
supplier packageSSFP
typePNP
Время загрузки0:23:06
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль