2Т958А, транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные Россия

2Т958А Транзисторы 2Т958А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-32. Зарубежный аналог: BM40-12. Основные технические характеристики транзистора 2Т958А: ∙ Структура транзистора: n-p-n; ∙ Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 85 Вт; ∙ fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; ∙ Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,01кОм); ∙ Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; ∙ Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; ∙ Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 15 мА (36В); ∙ h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; ∙ Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 180 пФ; ∙ Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ; ∙ Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 175 МГц; ∙ tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 12 пс