Name: 2STR2160, 2STR2160 PNP Transistor, -2 A, -60 V, 3-Pin SOT-23
Brand: STMicroelectronics
SKU: 2STR2160

2STR2160, 2STR2160 PNP Transistor, -2 A, -60 V, 3-Pin SOT-23

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics 2STR2160, 2STR2160 PNP Transistor, -2 A ...

Подробное описание

Дата загрузки	18.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	STMicroelectronics
Бренд	STMicroelectronics

Все характеристики

51 ₽

– +

Бонус: 1.02 !

Бонусная программа

Итого: 51 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsThe device in a PNP transistor manufactured using new “PB-HCD” (power bipolar high current density) technology.

Дата загрузки	18.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	STMicroelectronics
Бренд	STMicroelectronics
Основные
continuous collector current	1А
dc усиление тока hfe	45hFE
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	560
количество выводов	3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	45
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	2 A
maximum collector base voltage	-60 V
maximum collector emitter voltage	-60 V
maximum dc collector current	-2 A
maximum emitter base voltage	-5 V
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	500 mW
минимальная рабочая температура	55 C
minimum dc current gain	250
монтаж транзистора	Surface Mount
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	260 mV
непрерывный коллекторный ток	1 A
number of elements per chip	1
package type	SOT-23
партномер	8014515669
pd - рассеивание мощности	500 mW
pin count	3
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
power dissipation	500мВт
размер фабричной упаковки	3000
серия	2STR2160
стиль корпуса транзистора	SOT-23
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	STMicroelectronics
transistor configuration	Single
transistor type	PNP
упаковка / блок	SOT-23-3
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	14:00:32

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

STMicroelectronics Транзисторы биполярные (BJTs)2STR2160