2STN1550

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics 2STN1550
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.8 mm
Высота 1.8 мм
Информация о производителе
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, 50V, 5A, SOT-223; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.6W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Ca
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.8 mm
Высота 1.8 мм
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo50 V
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationSingle
continuous collector current
dc усиление тока hfe100hFE
длина6.5 mm
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity1000
height1.8 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов4вывод(-ов)
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
length6.5 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
manufacturerSTMicroelectronics
maximum base current (a)1
maximum base emitter saturation voltage (v)1.2@300mA@3A
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.45@300mA@3A
maximum collector emitter voltage50 V
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum dc collector current5 A
maximum dc collector current (a)5
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating frequency1 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation1.4 W
maximum power dissipation (mw)1600
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain100@3A@2V|135@2A@2V
minimum operating temperature-65 C
minimum operating temperature (°c)-65
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)150
package / caseSOT-223-4
package typeSOT-223(SC-73)
packagingReel
партномер8001981253
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation1600 mW
pd - рассеивание мощности1600 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation1.6Вт
ppapNo
product categoryBipolar Transistors-BJT
размер фабричной упаковки1000
rohsDetails
series500V Transistors
серия2STN1550
standard package nameSOT
стиль корпуса транзистораSOT-223
supplier packageSOT-223
supplier temperature gradeIndustrial
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки14:03:05
Ширина3.5 мм
width3.5 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль