2STF2550, Bipolar Transistors - BJT LV high performance PNP power transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2STF2550
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics 2STF2550, Bipolar Transistors - BJT LV high ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.13
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTСтандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.13
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
automotiveNo
base part number2STF2550
collector-emitter saturation voltage:390 mV
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configurationSingle Dual Collector
configuration:Single
continuous collector current:-5 A
current - collector cutoff (max)100nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)5A
dc collector/base gain hfe min:70
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce110 @ 2A, 2V
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo:5 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
frequency - transition-
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeFlat
manufacturerSTMicroelectronics
manufacturer:STMicroelectronics
maximum base emitter saturation voltage (v)1.2@300mA@3A
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.55@300mA@3A
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum dc collector current:5 A
maximum dc collector current (a)5
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1400
minimum dc current gain110@2A@2V|80@3A@2V
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature150В°C(TJ)
package / caseTO-243AA
package / case:SOT-89-3
packagingTape & Reel(TR)
партномер8004824862
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation:1.4 W
pin count4
power - max1.4W
ppapNo
product categoryBipolar Power
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series-
series:2STF2550
standard package nameSOT
subcategory:Transistors
supplier device packageSOT-89-3
supplier packageSOT-89
supplier temperature gradeIndustrial
tabTab
technology:Si
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
typePNP
vce saturation (max) @ ib, ic550mV @ 300mA, 3A
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки14:00:43
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль