2ST501T

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN - Darlington 350V 4A 100W Through Hole TO-220AB
Вес и габариты
base product number2ST501 ->
current - collector cutoff (max)100ВµA
current - collector (ic) (max)4A
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN - Darlington 350V 4A 100W Through Hole TO-220AB
Вес и габариты
base product number2ST501 ->
current - collector cutoff (max)100ВµA
current - collector (ic) (max)4A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce2000 @ 2A, 2V
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
категория продуктаТранзисторы Дарлингтона
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)2000
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный ток отсечки коллектора500 uA
минимальная рабочая температура65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.350 V
непрерывный коллекторный ток4 A
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
pd - рассеивание мощности100 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max100W
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серия2ST501
supplier device packageTO-220AB
тип продуктаDarlington Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor typeNPN - Darlington
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220
vce saturation (max) @ ib, ic1.5V @ 2mA, 2A
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)350V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль