2ST501T, Darlington Transistors PWR BIP/S.SIGNAL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2ST501T
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics 2ST501T, Darlington Transistors PWR BIP/S.SIGNAL
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.03.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
460
+
Бонус: 9.2 !
Бонусная программа
Итого: 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор NPN - Darlington 350V 4A 100W Through Hole TO-220AB
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.03.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product number2ST501 ->
current - collector cutoff (max)100ВµA
current - collector (ic) (max)4A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce2000 @ 2A, 2V
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3
партномер8005441869
power - max100W
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageTO-220AB
transistor typeNPN - Darlington
vce saturation (max) @ ib, ic1.5V @ 2mA, 2A
voltage - collector emitter breakdown (max)350V
Время загрузки14:02:24
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль