2ST31A, Bipolar Transistors - BJT Low voltage NPN Power Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2ST31A
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics 2ST31A, Bipolar Transistors - BJT Low voltage ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.03.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT Low voltage NPN Power Transistor
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г02.03.2024
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
automotiveNo
base product number2ST31 ->
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage1.2 V
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
continuous collector current
current - collector cutoff (max)300ВµA
current - collector (ic) (max)3A
dc collector/base gain hfe min150
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 20mA, 4V
dc усиление тока hfe25hFE
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity1000
hts8541.21.00.95
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)150
конфигурацияSingle
lead shapeThrough Hole
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
manufacturerSTMicroelectronics
maximum base emitter saturation voltage (v)1.45@375mA@3A
maximum collector base voltage (v)60
maximum collector-emitter saturation voltage (v)1.2@375mA@3A
maximum collector-emitter voltage (v)60
maximum dc collector current5 A
maximum dc collector current (a)3
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)40000
militaryNo
minimum dc current gain25@1A@4V|100@20mA@4V
minimum operating temperature (°c)-65
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораThrough Hole
mountingThrough Hole
mounting styleThrough Hole
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.2 V
непрерывный коллекторный ток3 A
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-220-3
package height9.15(Max)
package length10.4(Max)
package width4.6(Max)
packagingTube
партномер8004824857
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation40 W
pd - рассеивание мощности40 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation40Вт
power - max40W
product categoryBipolar Power
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
series500V Transistors
серия2ST31A
standard package nameTO-220
стиль корпуса транзистораTO-220AB
supplier device packageTO-220AB
supplier packageTO-220AB
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
typeNPN
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic1.2V @ 375mA, 3A
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки14:02:26
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль