2SD882, Транзистор: NPN, биполярный, 40В, 3А, 10Вт, SOT32
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SD882
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор NPN 30V 3A 100MHz 12,5W Through Hole SOT-32 (TO-126)
Дата загрузки | 18.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 1.263 |
Информация о производителе | |
Производитель | STMicroelectronics |
Бренд | STMicroelectronics |
Основные | |
base product number | 2SD882 -> |
collector- base voltage vcbo | 60 V |
collector- base voltage vcbo: | 60 V |
collector-emitter saturation voltage: | 1.1 V |
collector- emitter voltage vceo max | 30 V |
collector- emitter voltage vceo max: | 30 V |
configuration | Single |
configuration: | Single |
current - collector cutoff (max) | 100ВµA |
current - collector (ic) (max) | 3A |
dc collector/base gain hfe min | 100 |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 100mA, 2V |
eccn | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | 5 V |
emitter- base voltage vebo: | 5 V |
factory pack quantity | 2000 |
factory pack quantity: factory pack quantity: | 2000 |
frequency - transition | 100MHz |
gain bandwidth product ft | 100 MHz |
gain bandwidth product ft: | 100 MHz |
htsus | 8541.29.0075 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
manufacturer | STMicroelectronics |
manufacturer: | STMicroelectronics |
maximum collector base voltage | 60 V |
maximum collector emitter voltage | 30 V |
maximum dc collector current | 3 A |
maximum dc collector current: | 3 A |
maximum emitter base voltage | 5 V |
maximum operating frequency | 100 MHz |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum operating temperature: | +150 C |
maximum power dissipation | 12500 mW |
minimum dc current gain | 100 |
minimum operating temperature | -65 C |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting style | SMD/SMT |
mounting style: | Through Hole |
mounting type | Through Hole |
number of elements per chip | 1 |
operating temperature | 150В°C (TJ) |
other related documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
package | Tube |
package / case | TO-225AA, TO-126-3 |
package / case: | SOT-32-3 |
package type | SOT-32 |
packaging | Tube |
packaging: | Tube |
партномер | 8002678269 |
pd - power dissipation: | 12.5 W |
pin count | 3 |
power - max | 12.5W |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
product category: | Bipolar Transistors-BJT |
product type: | BJTs-Bipolar Transistors |
reach status | REACH Unaffected |
rohs | Details |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | 500V Transistors |
series: | 2SD882 |
subcategory: | Transistors |
supplier device package | SOT-32 (TO-126) |
technology: | Si |
transistor configuration | Single |
transistor polarity | NPN |
transistor polarity: | NPN |
transistor type | NPN |
vce saturation (max) @ ib, ic | 1.1V @ 150mA, 3A |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 30V |
Время загрузки | 14:02:30 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26