2SD2657TL, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1.5A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SD2657TL
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SD2657TL, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1.5A
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.85 mm
Информация о производителе
ПроизводительRohm
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 30V 1.5A
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.85 mm
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
base product number2SD2657 ->
частота перехода ft300МГц
collector emitter voltage max30В
continuous collector current1.5А
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1.5A
dc current gain hfe min270hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce270 @ 100mA, 2V
dc усиление тока hfe270hFE
длина2.9 mm
другие названия товара №2SD2657
eccnEAR99
frequency - transition300MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.270 at 100 mA at 2 V
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)270
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер140 mV
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-96
партномер8006209120
pd - рассеивание мощности1000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation500мВт
power - max1W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)300 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серия2SD2657
simulation modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
стиль корпуса транзистораSOT-346T
supplier device packageTSMT3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
transistor typeNPN
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic350mV @ 50mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Время загрузки1:40:49
Ширина1.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль