Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN - Darlington 80V 4A 75MHz 25W Through Hole TO-220F

Подробное описание

Вес и габариты
current - collector cutoff (max)	10ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)	4A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	2000 @ 3A, 2V

Все характеристики

410 ₽

– +

Бонус: 8.2 !

Бонусная программа

Итого: 410 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN - Darlington 80V 4A 75MHz 25W Through Hole TO-220F

Вес и габариты
current - collector cutoff (max)	10ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)	4A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce	2000 @ 3A, 2V
eccn	EAR99
frequency - transition	75MHz
htsus	8541.29.0075
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	150В°C (TJ)
package	Bulk
package / case	TO-220-3 Full Pack
power - max	25W
rohs status	RoHS Compliant
supplier device package	TO-220F
transistor type	NPN - Darlington
vce saturation (max) @ ib, ic	1.5V @ 3mA, 3A
voltage - collector emitter breakdown (max)	80V

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

2SD2014