2SD1816T-TL-H, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 4A 100V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SD1816T-TL-H
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SD1816T-TL-H, Bipolar Transistors - BJT BIP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.08.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 4A 100V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.08.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)70
maximum collector base voltage120 V
maximum collector emitter voltage100 V
maximum dc collector current4 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency180 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation20 W
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
непрерывный коллекторный ток4 A
number of elements per chip1
package typeTP-FA
партномер8005368410
pd - рассеивание мощности1 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки700
серия2SD1816
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокTO-252-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:54:33
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль