2SD1816S-TL-E, 1uA 100V 20W 140@500mA,5V 4A 180MHz NPN 150mV@2A,200mA +150°C@(Tj) TP-FA BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SD1816S-TL-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SD1816S-TL-E, 1uA 100V 20W 140@500mA,5V 4A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.39
Высота2.3 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.39
Высота2.3 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
партномер8017646536
pd - рассеивание мощности20 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)130 MHz
размер фабричной упаковки700
серия2SD1816
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
Время загрузки0:54:34
Ширина6.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль