2SD1816S-TL-E, 100V 1W 140@500mA,5V 4A NPN TO252 Bipolar Transistors BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SD1816S-TL-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SD1816S-TL-E, 100V 1W 140@500mA,5V 4A NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота2.3 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT HF LOW-NOISE AMPLIFIER
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота2.3 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
партномер8011734931
pd - рассеивание мощности20 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)130 MHz
размер фабричной упаковки700
серия2SD1816
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
Время загрузки0:54:36
Ширина6.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль