2SD1803S-E, Bipolar Transistors - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SD1803S-E
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.2604 |
| Высота | 7 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | 60 V, -60 V |
| collector-emitter saturation voltage | 220 mV, -280 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | 50 V, -50 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 5 A |
| dc collector/base gain hfe min | 55 |
| длина | 6.5 mm |
| emitter- base voltage vebo | 6 V, -6 V |
| factory pack quantity | 500 |
| gain bandwidth product ft | 180 MHz, 130 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 55 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 8 A, - 8 A |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| maximum dc collector current | 8 A, -8 A |
| maximum operating temperature | +150 C |
| mounting style | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 60 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 220 mV, - 280 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| package / case | DPAK-3 |
| packaging | Bulk |
| партномер | 8006226944 |
| pd - power dissipation | 1 W |
| pd - рассеивание мощности | 1 W |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN, PNP |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 180 MHz, 130 MHz |
| размер фабричной упаковки | 500 |
| rohs | Details |
| series | 2SD1803 |
| серия | 2SD1803 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor polarity | NPN, PNP |
| unit weight | 0.009185 oz |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TO-251-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 0:54:40 |
| Ширина | 2.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
