2SD1624S-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 50V
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SD1624S-TD-E
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 3A 50V
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Single Dual Collector |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| lead shape | Flat |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.2@100mA@2A |
| maximum collector base voltage | 60 V |
| maximum collector base voltage (v) | 60 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.5@100mA@2A |
| maximum collector emitter voltage | 50 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 50 |
| maximum dc collector current | 3 A |
| maximum dc collector current (a) | 3 |
| maximum emitter base voltage | 6 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 6 |
| maximum operating frequency | 150 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 1.5 W |
| maximum power dissipation (mw) | 500 |
| maximum transition frequency (mhz) | 150(Typ) |
| minimum dc current gain | 140, 200 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| number of elements per chip | 1 |
| operating junction temperature (°c) | 150 |
| package type | PCP |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8006228541 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Small Signal |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| серия | 2SD1624 |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SOT-89 |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-89-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 2:03:25 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
