2SD1047

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics 2SD1047
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г6.804
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
1 440
+
Бонус: 28.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, BIPOL, NPN, 140V, TO-3P-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:140V; Transition Frequency ft:20MHz; Power Dissipation Pd:100W; DC Collector Current:12A; DC Current Gain hFE:50hFE; Transistor Case Style:TO-3P; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г6.804
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product number2SD1047 ->
current - collector cutoff (max)100nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)12A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce60 @ 1A, 5V
eccnEAR99
frequency - transition20MHz
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
manufacturerSTMicroelectronics
maximum collector base voltage200 V
maximum collector emitter voltage140 V
maximum dc collector current20 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency20 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation100 W
minimum dc current gain60
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.140 V
непрерывный коллекторный ток12 A
number of elements per chip1
operating temperature150В°C(TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-3P-3, SC-65-3
package typeTO
packagingTube
партномер8002019130
part statusActive
pd - рассеивание мощности100 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max100W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)20 MHz
размер фабричной упаковки300
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
series-
серия2SD1047
supplier device packageTO-3P
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3P-3
vce saturation (max) @ ib, ic700mV @ 700mA, 7A
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)140V
Время загрузки14:03:12
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль