2SD1047, Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 20 МГц, 100 Вт, 12 А, 50 hFE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SD1047
Биполярные транзисторы - BJT High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
Вес и габариты
base product number2SD1047 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)12A
860
+
Бонус: 17.2 !
Бонусная программа
Итого: 860
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
Вес и габариты
base product number2SD1047 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)12A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce60 @ 1A, 5V
eccnEAR99
frequency - transition20MHz
htsus8541.29.0095
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.140 V
непрерывный коллекторный ток12 A
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-3P-3, SC-65-3
pd - рассеивание мощности100 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max100W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)20 MHz
размер фабричной упаковки300
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серия2SD1047
supplier device packageTO-3P
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаSTMicroelectronics
transistor typeNPN
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3P-3
vce saturation (max) @ ib, ic700mV @ 700mA, 7A
вес, г6.804
вид монтажаThrough Hole
voltage - collector emitter breakdown (max)140V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль