2SCR587D3TL1, 2SCR587D3TL1 NPN Transistor, 3 A, 120 V, 3-Pin DPAK
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:2SCR587D3TL1
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsThe ROHM 2SCR587D3 series NPN power transistor has TO-252 (DPAK) package and is suitable for low frequency amplifier.
Дата загрузки
19.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
Rohm
Бренд
Rohm
Основные
collector- base voltage vcbo:
120 V
collector-emitter saturation voltage:
60 mV
collector- emitter voltage vceo max:
120 V
configuration:
Single
continuous collector current:
3 A
dc current gain hfe max:
390 at 100 mA, 5 V
emitter- base voltage vebo:
6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:
2500
gain bandwidth product ft:
250 MHz
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:
ROHM Semiconductor
maximum collector emitter voltage
120 V
maximum dc collector current
3 A
maximum dc collector current:
3 A
maximum operating temperature:
+150 C
minimum dc current gain
120
mounting style:
SMD/SMT
mounting type
Surface Mount
number of elements per chip
1
package/case:
TO-252-3
package type
TO-252
packaging:
Reel, Cut Tape
партномер
8014582080
pd - power dissipation:
10 W
pin count
3
product category:
Bipolar Transistors-BJT
product type:
BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:
Transistors
technology:
Si
transistor polarity:
NPN
transistor type
NPN
Время загрузки
1:39:57
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26