2SCR586JFRGTLL, Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 5A 40W TO-263AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SCR586JFRGTLL
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SCR586JFRGTLL, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г05.06.2024
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
620
+
Бонус: 12.4 !
Бонусная программа
Итого: 620
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTAEC-Q101 Qualified TransistorsROHM Semiconductor AEC-Q101 Qualified Transistors feature NPN, PNP, and dual transistors with or without built-in resistors. These transistors include middle power transistors, low-frequency amplifiers, general-purpose digital (bias resistor built-in) transistors, dual digital transistors, and medium power transistors. The AEC-Q101-qualified transistors offer variants with V CC, V CEO, and I C ratings. These transistors feature built-in bias resistors, enabling the desired configuration without connecting external input resistors.
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г05.06.2024
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
частота перехода ft200МГц
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:100 mV
collector emitter voltage max80В
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current
continuous collector current:5 A
dc collector/base gain hfe min:120
dc current gain hfe max:390
dc current gain hfe min120hFE
dc усиление тока hfe120hFE
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:200 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:ROHM Semiconductor
maximum dc collector current:5 A
maximum operating temperature:+150 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
package / case:TO-263AB-3
партномер8006212992
part # aliases:2SCR586JFRG
pd - power dissipation:40 W
полярность транзистораNPN
power dissipation40Вт
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
стиль корпуса транзистораTO-263AB
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки1:39:35
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль