2SCR574D3TL1, 80V 10W 120@100mA,3V 2A NPN TO2522 Bipolar Transistors BJT ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SCR574D3TL1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 80V 2A 10W Pwr trnstr Low VCE
| Дата загрузки | 19.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Rohm |
| Бренд | Rohm |
| Основные | |
| частота перехода ft | 280МГц |
| collector- base voltage vcbo | 80 V |
| collector-emitter saturation voltage | 100 mV |
| collector emitter voltage max | 80В |
| collector- emitter voltage vceo max | 80 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 2 A |
| dc collector/base gain hfe min | 120 |
| dc current gain hfe max | 390 |
| dc current gain hfe min | 120hFE |
| dc усиление тока hfe | 120hFE |
| другие названия товара № | 2SCR574D3 |
| emitter- base voltage vebo | 6 V |
| factory pack quantity | 2500 |
| gain bandwidth product ft | 280 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 390 |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| manufacturer | ROHM Semiconductor |
| maximum dc collector current | 2 A |
| maximum operating temperature | +150 C |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 2 A |
| package / case | TO-252 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| партномер | 8009645439 |
| part # aliases | 2SCR574D3 |
| pd - power dissipation | 10 W |
| pd - рассеивание мощности | 10 W |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 10Вт |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 280 MHz |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| стиль корпуса транзистора | TO-252(DPAK) |
| subcategory | Transistors |
| technology | Si |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| transistor polarity | NPN |
| упаковка / блок | TO-252 |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 1:39:24 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
