2SCR574D3FRATL, Bipolar Transistors - BJT NPN 80V 2A 10W TO-252(DPAK)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SCR574D3FRATL
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SCR574D3FRATL, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT2Sx Bipolar Junction TransistorsROHM 2Sx Bipolar Junction Transistors (BJTs) are designed for use in industrial and consumer applications. These BJTs are available in both PNP and NPN polarities. The 2Sx BJT devices are housed in a variety of packages and are designed for medium power surface mount applications. ROHM 2Sx BJTs feature a wide storage temperature (T stg ) range of -55°C to +150°C and a junction temperature (T J ) of +150°C. Typical applications include general purpose small signal amplifiers, power supplies, high-speed switching, and low-frequency amplifiers.
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
частота перехода ft280МГц
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:100 mV
collector emitter voltage max80В
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current
continuous collector current:2 A
dc collector/base gain hfe min:120
dc current gain hfe max:390
dc current gain hfe min120hFE
dc усиление тока hfe120hFE
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
gain bandwidth product ft:280 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:ROHM Semiconductor
maximum dc collector current:2 A
maximum operating temperature:+150 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
package/case:TO-252-3
партномер8004637785
pd - power dissipation:10 W
полярность транзистораNPN
power dissipation10Вт
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
qualification:AEC-Q101
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки1:46:53
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль