Name: 2SCR542PT100, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 5 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount
Brand: Rohm
SKU: 2SCR542PT100

2SCR542PT100, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 5 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SCR542PT100, Биполярный транзистор, NPN ...

Подробное описание

Дата загрузки	19.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.03
Информация о производителе
Производитель	Rohm
Бренд	Rohm

Все характеристики

160 ₽

– +

Бонус: 3.2 !

Бонусная программа

Итого: 160 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTБиполярные транзисторы - BJT Bipolar Transistors BJT I2C BUS 2Kbit

Дата загрузки	19.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.03
Информация о производителе
Производитель	Rohm
Бренд	Rohm
Основные
collector emitter voltage max	30В
continuous collector current	5А
dc current gain hfe min	200hFE
dc усиление тока hfe	200hFE
другие названия товара №	2SCR542P
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	500
количество выводов	3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	150°C
максимальный постоянный ток коллектора	5 A
maximum collector base voltage	30 V
maximum collector emitter voltage	30 V
maximum dc collector current	5 A
maximum emitter base voltage	6 V
maximum operating frequency	100 MHz
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	500 mW
монтаж транзистора	Surface Mount
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
number of elements per chip	1
package type	SOT-89
партномер	8000819324
pd - рассеивание мощности	500 mW
pin count	3+Tab
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power dissipation	500мВт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	250 MHz
размер фабричной упаковки	1000
стиль корпуса транзистора	SOT-89
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
transistor configuration	Common Emitter
transistor type	NPN
упаковка / блок	SOT-89-3
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	1:51:05

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

Rohm Транзисторы биполярные (BJTs)2SCR542PT100