2SCR533P5T100, 50V 500mW 180@50mA,3V 3A NPN TO243AA Bipolar Transistors BJT ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SCR533P5T100
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT NPN 50V Vceo 3A Ic MPT3
| Дата загрузки | 18.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.13 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Rohm |
| Бренд | Rohm |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | 50 V |
| collector-emitter saturation voltage | 130 mV |
| collector emitter voltage max | 50В |
| collector- emitter voltage vceo max | 50 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 3 A |
| dc collector/base gain hfe min | 180 at 50 mA, 3 V |
| dc current gain hfe max | 450 at 50 mA, 3 V |
| dc current gain hfe min | 180hFE |
| другие названия товара № | 2SCR533P5 |
| emitter- base voltage vebo | 6 V |
| factory pack quantity | 1000 |
| gain bandwidth product ft | 320 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 450 at 50 mA, 3 V |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 at 50 mA, 3 V |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| manufacturer | ROHM Semiconductor |
| maximum collector base voltage | 50 V |
| maximum collector emitter voltage | 50 V |
| maximum dc collector current | 3 A |
| maximum emitter base voltage | 6 V |
| maximum operating frequency | 100 MHz |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum power dissipation | 500 mW |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 180 |
| minimum operating temperature | -55 C |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 130 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | SC-62-3 |
| package type | SOT-89 |
| packaging | Reel |
| партномер | 8008995742 |
| pd - power dissipation | 500 mW |
| pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| pin count | 3+Tab |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 500мВт |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 320 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rohs | Details |
| series | 2SxR |
| серия | 2SxR |
| стиль корпуса транзистора | SOT-89 |
| technology | Si |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| transistor configuration | Common Emitter |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-89-3 |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 16:53:39 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
