2SCR514P5T100, Bipolar Transistors - BJT NPN 80V Vceo 700mA Ic MPT3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SCR514P5T100
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 80V Vceo 700mA Ic MPT3
| Дата загрузки | 19.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Rohm |
| Бренд | Rohm |
| Основные | |
| collector emitter voltage max | 80В |
| continuous collector current | 700мА |
| dc current gain hfe min | 120hFE |
| другие названия товара № | 2SCR514P5 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 390 at 100 mA, 3 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 700 mA |
| maximum collector base voltage | 80 V |
| maximum collector emitter voltage | 80 V |
| maximum dc collector current | 700 mA |
| maximum emitter base voltage | 6 V |
| maximum operating frequency | 100 MHz |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum power dissipation | 500 mW |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 120 |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 100 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 700 mA |
| number of elements per chip | 1 |
| package type | SOT-89 |
| партномер | 8004725562 |
| pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| pin count | 3+Tab |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power dissipation | 2Вт |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 320 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| серия | 2SxR |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ROHM Semiconductor |
| transistor configuration | Common Emitter |
| transistor type | NPN |
| упаковка / блок | SC-62-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 1:50:49 |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
