2SCR512P5T100, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А, 500 мВт, SOT-89, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SCR512P5T100
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SCR512P5T100, Биполярный транзистор, NPN ...
Rohm
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
85
+
Бонус: 1.7 !
Бонусная программа
Итого: 85
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 30V Vceo 2A Ic MPT3
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.03
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
частота перехода ft320МГц
collector emitter voltage max30В
continuous collector current
dc current gain hfe min200hFE
dc усиление тока hfe200hFE
другие названия товара №2SCR512P5
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.500 at 100 mA, 2 V
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200 at 100 mA, 2 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура150°C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
maximum collector base voltage30 V
maximum collector emitter voltage30 V
maximum dc collector current2 A
maximum emitter base voltage6 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation500 mW
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер200 mV
непрерывный коллекторный ток2 A
number of elements per chip1
package typeSOT-89
партномер8000819234
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
pin count3+Tab
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation500мВт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)320 MHz
размер фабричной упаковки1000
серия2SxR
стиль корпуса транзистораSOT-89
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
transistor configurationCommon Emitter
transistor typeNPN
упаковка / блокSC-62-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:32:24
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль