2SCR375P5T100Q, 1uA 120V 500mW 120@200mA,5V 1.5A 200MHz NPN 300mV@800mA,80mA +150-@(Tj) MPT3 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SCR375P5T100Q
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SCR375P5T100Q, 1uA 120V 500mW 120@200mA,5V ...
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.06
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
2Sx Bipolar Junction TransistorsROHM 2Sx Bipolar Junction Transistors (BJTs) are designed for use in industrial and consumer applications. These BJTs are available in both PNP and NPN polarities. The 2Sx BJT devices are housed in a variety of packages and are designed for medium power surface mount applications. ROHM 2Sx BJTs feature a wide storage temperature (T stg ) range of -55°C to +150°C and a junction temperature (T J ) of +150°C. Typical applications include general purpose small signal amplifiers, power supplies, high-speed switching, and low-frequency amplifiers.
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.06
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
частота перехода ft200МГц
collector- base voltage vcbo:120 V
collector-emitter saturation voltage:100 mV
collector emitter voltage max120В
collector- emitter voltage vceo max:120 V
configuration:Single
continuous collector current1.5А
continuous collector current:1.5 A
dc collector/base gain hfe min:120
dc current gain hfe max:390 at 200 mA, 5 V
dc current gain hfe min120hFE
dc усиление тока hfe120hFE
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:200 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150°C
manufacturer:ROHM Semiconductor
maximum dc collector current:1.5 A
maximum operating temperature:+150 C
монтаж транзистораSurface Mount
mounting style:SMD/SMT
package/case:SOT-89-3
партномер8017583572
pd - power dissipation:500 mW
полярность транзистораNPN
power dissipation500мВт
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:2SxR
стиль корпуса транзистораSOT-89
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
Время загрузки1:50:35
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль