2SCR346PT100P, Bipolar Transistors - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SCR346PT100P
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SCR346PT100P, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 400V Vceo 100mA Ic MPT3
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
collector emitter voltage max400В
continuous collector current100мА
dc current gain hfe min82hFE
dc усиление тока hfe82hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.270 at 10 mA, 10 V
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)82 at 10 mA, 10 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора100 mA
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)400 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.400 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер100 mV
непрерывный коллекторный ток100 mA
партномер8004725560
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation500мВт
размер фабричной упаковки1000
серия2SxR
стиль корпуса транзистораSOT-89
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокSC-62-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:50:39
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль