2SCR293P5T100, Bipolar Transistors - BJT NPN 30V Vceo 1A Ic MPT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SCR293P5T100
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SCR293P5T100, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1956
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 30V Vceo 1A Ic MPT3
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1956
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
base product number2SCR293 ->
collector- base voltage vcbo30 V
collector-emitter saturation voltage120 mV
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationSingle
continuous collector current1 A
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc collector/base gain hfe min270 at 100 mA, 2 V
dc current gain hfe max680 at 100 mA, 2 V
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce270 @ 100mA, 2V
другие названия товара №2SCR293P5
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo6 V
factory pack quantity1000
frequency - transition320MHz
gain bandwidth product ft320 MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.680 at 100 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)270 at 100 mA, 2 V
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
manufacturerROHM Semiconductor
maximum dc collector current1 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер120 mV
непрерывный коллекторный ток1 A
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
packagingCut Tape or Reel
партномер8006810547
part # aliases2SCR293P5
pd - power dissipation500 mW
pd - рассеивание мощности500 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max500mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)320 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
series2SxR
серия2SxR
simulation modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
subcategoryTransistors
supplier device packageMPT3
technologySi
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic350mV @ 25mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Время загрузки1:50:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль