2SC6095-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2.5A 80V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SC6095-TD-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SC6095-TD-E, Bipolar Transistors - BJT BIP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0516
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2.5A 80V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0516
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.600
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)6.5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.1 V
непрерывный коллекторный ток2.5 A
партномер8005368376
pd - рассеивание мощности3.5 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)350 MHz
размер фабричной упаковки1000
серия2SC6095
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:57:28
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль