2SC5994-TD-E

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SC5994-TD-E
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, 50V, 2A, SOT-89-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:420MHz; Power Dissipation Pd:3.5W; DC Collector Current:2A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transist
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo100 V
collector-emitter saturation voltage135 mV
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationSingle
continuous collector current2 A
dc collector/base gain hfe min200
dc current gain hfe max560
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo6 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity1000
gain bandwidth product ft420 MHz
hts8541.29.00.75
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.560
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
lead shapeFlat
максимальная рабочая температура+ 150 C
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.2@50mA@1A
maximum collector base voltage100 V
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@50mA@1A
maximum collector emitter voltage50 V
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum dc collector current2 A
maximum dc collector current (a)2
maximum emitter base voltage6 V
maximum emitter base voltage (v)6
maximum operating frequency1 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation3.5 W
maximum power dissipation (mw)1300
maximum transition frequency (mhz)420(Typ)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain40@1.5A@2V|200@100mA@2V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер135 mV
непрерывный коллекторный ток2 A
number of elements per chip1
package / casePCP-3
package height01.05.2024
package length04.05.2024
package typePCP
package width02.05.2024
packagingReel
партномер8003893874
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation3.5 W
pd - рассеивание мощности3.5 W
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)420 MHz
размер фабричной упаковки1000
rohsDetails
series2SC5994
серия2SC5994
standard package nameSOT
supplier packageSOT-89
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
typeNPN
упаковка / блокPCP-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:44:44
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль