Name: 2SC5964-TD-E
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SC5964-TD-E

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.04
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***

Все характеристики

190 ₽

– +

Бонус: 3.8 !

Бонусная программа

Итого: 190 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, 50V, 3A, SOT-89; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:380MHz; Power Dissipation Pd:3.5W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.04
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo	-50 V, 100 V
collector-emitter saturation voltage	-125 mV, 100 mV
collector- emitter voltage vceo max	-50 V, 50 V
configuration	Single
continuous collector current	-3 A, 3 A
dc collector/base gain hfe min	200
dc current gain hfe max	560
emitter- base voltage vebo	-6 V, 6 V
factory pack quantity	1000
gain bandwidth product ft	390 MHz, 380 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	560
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
manufacturer	ON Semiconductor
maximum collector base voltage	100 V
maximum collector emitter voltage	50 V
maximum dc collector current	3 A
maximum emitter base voltage	6 V
maximum operating frequency	1 MHz
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	3.5 W
минимальная рабочая температура	55 C
minimum dc current gain	200
minimum operating temperature	-55 C
mounting style	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V, 6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	50 V, 100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	50 V, 50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	125 mV, 100 mV
непрерывный коллекторный ток	3 A, 3 A
number of elements per chip	1
package / case	PCP-3
package type	PCP
packaging	Reel
партномер	8002989138
pd - power dissipation	3.5 W
pd - рассеивание мощности	3.5 W
pin count	3
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN, PNP
product category	Bipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	390 MHz, 380 MHz
размер фабричной упаковки	1000
rohs	Details
series	2SC5964
серия	2SC5964
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
transistor configuration	Single
transistor polarity	NPN, PNP
transistor type	NPN
упаковка / блок	PCP-3
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	0:44:44

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)2SC5964 2SC5964-TD-E