2SC5964-TD-E, Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SC5964-TD-E
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| collector- base voltage vcbo | -50 V, 100 V |
| collector-emitter saturation voltage | -125 mV, 100 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | -50 V, 50 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | -3 A, 3 A |
| dc collector/base gain hfe min | 200 |
| dc current gain hfe max | 560 |
| emitter- base voltage vebo | -6 V, 6 V |
| factory pack quantity | 1000 |
| gain bandwidth product ft | 390 MHz, 380 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 560 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| maximum collector base voltage | 100 V |
| maximum collector emitter voltage | 50 V |
| maximum dc collector current | 3 A |
| maximum emitter base voltage | 6 V |
| maximum operating frequency | 1 MHz |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum power dissipation | 3.5 W |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 200 |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V, 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V, 100 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 50 V, 50 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 125 mV, 100 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 3 A, 3 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | PCP-3 |
| package type | PCP |
| packaging | Reel |
| партномер | 8006331282 |
| pd - power dissipation | 3.5 W |
| pd - рассеивание мощности | 3.5 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN, PNP |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 390 MHz, 380 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rohs | Details |
| series | 2SC5964 |
| серия | 2SC5964 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | NPN, PNP |
| transistor type | NPN |
| упаковка / блок | PCP-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 2:03:32 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![CP41B-WES-CK0P0154, Светодиод "Пиранья" белый 60" 3850:11000мКд](/wa-data/public/shop/products/85/89/18985/images/26015/26015.300x0.jpg "CP41B-WES-CK0P0154, Светодиод "Пиранья" белый 60" 3850:11000мКд")
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
