Name: 2SC5876U3T106, 2SC5876U3T106 NPN Transistor, 500 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323
Brand: Rohm
SKU: 2SC5876U3T106

2SC5876U3T106, 2SC5876U3T106 NPN Transistor, 500 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SC5876U3T106, 2SC5876U3T106 NPN Transistor ...

Подробное описание

Дата загрузки	18.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	Rohm
Бренд	Rohm

Все характеристики

44 ₽

– +

Бонус: 0.88 !

Бонусная программа

Итого: 44 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar Transistors2SC5876U3 is the high speed switching transistor for low frequency amplifier, high speed switching High speed switching.

Дата загрузки	18.02.2024
Вес и габариты
вес, г	1
Информация о производителе
Производитель	Rohm
Бренд	Rohm
Основные
частота перехода ft	300МГц
collector emitter voltage max	60В
continuous collector current	500мА
dc current gain hfe min	120hFE
dc усиление тока hfe	120hFE
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	390
количество выводов	3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
maximum collector base voltage	60 V
maximum collector emitter voltage	60 V
maximum dc collector current	500 mA
maximum emitter base voltage	6 V
maximum operating frequency	100 MHz
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	200 mW
минимальная рабочая температура	55 C
монтаж транзистора	Surface Mount
mounting type	Surface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	150 mV
непрерывный коллекторный ток	500 mA
number of elements per chip	1
package type	SOT-323(SC-70)
партномер	8014511565
pd - рассеивание мощности	200 mW
pin count	3
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
power dissipation	200мВт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	300 MHz
размер фабричной упаковки	3000
стиль корпуса транзистора	SOT-323
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ROHM Semiconductor
transistor configuration	Single
transistor type	NPN
упаковка / блок	SOT-323-3
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вид монтажа	SMD/SMT
Время загрузки	16:56:49

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

Rohm Транзисторы биполярные (BJTs)2SC5876U3T106