Name: 2SC5706-E
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SC5706-E

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.426
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***

Все характеристики

1 520 ₽

– +

Бонус: 30.4 !

Бонусная программа

Итого: 1 520 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементBIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 50V, TO-251-4; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Transition Frequency ft:400MHz; Power Dissipation Pd:15W; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:TO-251; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.426
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
automotive	No
collector- base voltage vcbo	100 V
collector-emitter saturation voltage	0.16 V
collector- emitter voltage vceo max	50 V
configuration	Single
continuous collector current	5 A
dc current gain hfe max	560
eccn (us)	EAR99
emitter- base voltage vebo	6 V
eu rohs	Compliant with Exemption
factory pack quantity	500
gain bandwidth product ft	400 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
lead shape	Through Hole
manufacturer	ON Semiconductor
material	Si
maximum base current (a)	01.02.2024
maximum base emitter saturation voltage (v)	1.2@100mA@2A
maximum collector base voltage (v)	100
maximum collector cut-off current (na)	1000
maximum collector-emitter saturation voltage (v)	0.135@50mA@1A\|0.24@100mA@2A
maximum collector-emitter voltage (v)	50
maximum dc collector current	7.5 A
maximum dc collector current (a)	5
maximum emitter base voltage (v)	6
maximum operating temperature	+150 C
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation (mw)	800
maximum transition frequency (mhz)	400(Typ)
military	No
minimum dc current gain	200@500mA@2V
minimum operating temperature	-55 C
minimum operating temperature (°c)	-55
mounting	Through Hole
mounting style	Through Hole
number of elements per chip	1
operating junction temperature (°c)	-55 to 150
package / case	TO-251-3
package height	05.05.2024
package length	06.05.2024
package width	02.03.2024
packaging	Bulk
партномер	8004298612
part status	Active
pcb changed	3
pd - power dissipation	15 W
pin count	3
product category	Bipolar Transistors-BJT
rohs	Details
series	2SC5706
standard package name	TO-251
supplier package	IPAK
tab	Tab
transistor polarity	NPN
type	NPN
unit weight	0.139332 oz
Время загрузки	0:44:49

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)2SC5706-E