2SC5658T2LQ, Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 0.15A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SC5658T2LQ
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SC5658T2LQ, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота0.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительRohm
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 50V 0.15A
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота0.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
base product number2SC5658 ->
collector- base voltage vcbo60 V
collector- emitter voltage vceo max50 V
configurationSingle
continuous collector current0.15 A
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)150mA
dc collector/base gain hfe min120
dc current gain hfe max560
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 1mA, 6V
длина1.2 mm
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity8000
frequency - transition180MHz
gain bandwidth product ft180 MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.560
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.15 A
manufacturerROHM Semiconductor
maximum dc collector current0.15 A
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.50 V
непрерывный коллекторный ток0.15 A
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-723
packagingCut Tape or Reel
партномер8006265649
pd - power dissipation150 mW
pd - рассеивание мощности150 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max150mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)180 MHz
размер фабричной упаковки8000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
series2SC5658
серия2SC5658
subcategoryTransistors
supplier device packageVMT3
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковка / блокVMT-3
vce saturation (max) @ ib, ic400mV @ 5mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки1:50:29
Ширина0.8 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль