2SC5658RM3T5G, Bipolar Transistors - BJT SS GENERAL PURPOSE NPN
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:2SC5658RM3T5G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT SS GENERAL PURPOSE NPN
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.0013
Высота
0.55 mm
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
длина
1.25 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
560
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
120
конфигурация
Single
квалификация
AEC-Q101
напряжение эмиттер-база (vebo)
5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
50 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.4 V
непрерывный коллекторный ток
100 mA
партномер
8005525898
pd - рассеивание мощности
260 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
180 MHz
размер фабричной упаковки
8000
серия
2SC5658RM3
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
ON Semiconductor
упаковка / блок
SOT-723-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
2:02:59
Ширина
0.85 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26