2SC5200-O(S1,F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS POWER
Вес и габариты
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:160
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):55
740
+
Бонус: 14.8 !
Бонусная программа
Итого: 740
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS POWER
Вес и габариты
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:160
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):55
конфигурация:Single
максимальная рабочая температура:+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:15 A
минимальная рабочая температура:- 55 C
напряжение эмиттер-база (vebo):5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):230 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:230 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:0.4 V
непрерывный коллекторный ток:15 A
pd - рассеивание мощности:150 W
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):30 MHz
производитель:Toshiba
размер фабричной упаковки:25
серия:2SC
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:Toshiba
упаковка:Tube
упаковка / блок:TO-3P-3
вес, г9.75
вид монтажа:Through Hole
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль