Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS POWER
Вес и габариты
категория продукта:
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:
160
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):
55
конфигурация:
Single
максимальная рабочая температура:
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:
15 A
минимальная рабочая температура:
- 55 C
напряжение эмиттер-база (vebo):
5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):
230 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:
230 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:
0.4 V
непрерывный коллекторный ток:
15 A
pd - рассеивание мощности:
150 W
подкатегория:
Transistors
полярность транзистора:
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):
30 MHz
производитель:
Toshiba
размер фабричной упаковки:
25
серия:
2SC
тип продукта:
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:
Toshiba
упаковка:
Tube
упаковка / блок:
TO-3P-3
вес, г
9.75
вид монтажа:
Through Hole
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26