2SC5084YTE85LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V
Вес и габариты
collector- base voltage vcbo20 V
collector- emitter voltage vceo max12 V
configurationSingle
48
+
Бонус: 0.96 !
Бонусная программа
Итого: 48
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT Radio-Freq Bipolar 80mA 150mW 12V
Вес и габариты
collector- base voltage vcbo20 V
collector- emitter voltage vceo max12 V
configurationSingle
continuous collector current80 mA
dc collector/base gain hfe min80
dc current gain hfe max240
emitter- base voltage vebo3 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft7 GHz
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.240
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)80
конфигурацияSingle
максимальный постоянный ток коллектора80 mA
manufacturerToshiba
maximum dc collector current80 mA
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)3 V
напряжение коллектор-база (vcbo)20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.12 V
непрерывный коллекторный ток80 mA
package / caseSOT-346-3
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation150 mW
pd - рассеивание мощности150 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)7 GHz
размер фабричной упаковки3000
series2SC5084
серия2SC5084
subcategoryTransistors
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаToshiba
transistor polarityNPN
упаковка / блокSOT-346-3
вес, г0.01
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль