2SC4215-Y(TE85L.F)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba 2SC4215-Y(TE85L.F)
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементBipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar N PN 20mA 100mW 30V
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberCMH02 ->
collector- base voltage vcbo40 V
collector- emitter voltage vceo max30 V
configurationSingle
continuous collector current20 mA
current - collector (ic) (max)20mA
dc collector/base gain hfe min40
dc current gain hfe max200
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 1mA, 6V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo4 V
factory pack quantity3000
frequency - transition550MHz
gain17dB ~ 23dB
gain bandwidth product ft550 MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerToshiba
maximum dc collector current20 mA
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
noise figure (db typ @ f)2dB ~ 5dB @ 100MHz
operating temperature125В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-323-3
packagingCut Tape
партномер8009026961
pd - power dissipation100 mW
power - max100mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
rohs statusRoHS Compliant
series2SC4215
supplier device packageUSM
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
unit weight0.000176 oz
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Время загрузки23:46:50
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль