2SC4213BTE85LF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Toshiba 2SC4213BTE85LF
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор NPN 20V 300mA 30MHz 100mW Surface Mount USM
Дата загрузки12.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительToshiba
БрендToshiba
Основные
base product numberTB62757 ->
collector- base voltage vcbo50 V
collector-emitter saturation voltage0.042 V
collector- emitter voltage vceo max20 V
configurationSingle
continuous collector current300 mA
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)300mA
dc collector/base gain hfe min200
dc current gain hfe max1200
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce350 @ 4mA, 2V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo25 V
factory pack quantity3000
frequency - transition30MHz
gain bandwidth product ft30 MHz
htsus8541.21.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerToshiba
maximum dc collector current300 mA
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
operating temperature125В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
packagingCut Tape or Reel
партномер8006641333
pd - power dissipation100 mW
power - max100mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
rohs statusRoHS Compliant
series2SC4213
subcategoryTransistors
supplier device packageUSM
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic100mV @ 3mA, 30A
voltage - collector emitter breakdown (max)20V
Время загрузки23:48:26
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль