2SC4135T-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SC4135T-TL-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SC4135T-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.08.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
340
+
Бонус: 6.8 !
Бонусная программа
Итого: 340
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 100V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г01.08.2024
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
непрерывный коллекторный ток2 A
партномер8005368360
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки700
серия2SC4135
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокTO-252-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:57:38
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль