Name: 2SC4135S-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
Brand: ON Semiconductor***
SKU: 2SC4135S-TL-E

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SC4135S-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP ...

Подробное описание

280 ₽

– +

Бонус: 5.6 !

Бонусная программа

Итого: 280 ₽

Купить

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 100V

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	01.08.2024
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
maximum collector base voltage	120 V
maximum collector emitter voltage	100 V
maximum dc collector current	2 A
maximum emitter base voltage	6 V
maximum operating frequency	390 MHz
maximum operating temperature	+150 °C
maximum power dissipation	15 W
minimum dc current gain	140, 200
mounting type	Through Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)	6 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	100 V
непрерывный коллекторный ток	2 A
number of elements per chip	1
package type	TP-FA
партномер	8004651323
pd - рассеивание мощности	1 W
pin count	3
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
размер фабричной упаковки	700
серия	2SC4135
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
transistor configuration	Single
transistor type	NPN
упаковка	REEL
упаковка / блок	TO-252-3
вид монтажа	Through Hole
Время загрузки	0:57:39

Отзывов нет

Кнопки

Теги: