2SC4135S-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SC4135S-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SC4135S-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIP NPN 2A 100V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г4
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
напряжение эмиттер-база (vebo)6 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
непрерывный коллекторный ток2 A
партномер8005368358
pd - рассеивание мощности1 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки500
серия2SC4135
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-251-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:57:40
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль