2SC4102U3HZGT106R, Bipolar Transistors - BJT H. Volt 120V, 50mA UMT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SC4102U3HZGT106R
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Rohm 2SC4102U3HZGT106R, Bipolar Transistors - BJT ...
Rohm
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT H. Volt 120V, 50mA UMT3
Дата загрузки19.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительRohm
БрендRohm
Основные
частота перехода ft140МГц
collector emitter voltage max120В
continuous collector current50мА
dc current gain hfe min180hFE
dc усиление тока hfe180hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.390
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)180
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)120 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.120 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
непрерывный коллекторный ток50 mA
партномер8005508204
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation200мВт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)140 MHz
размер фабричной упаковки3000
стиль корпуса транзистораSOT-323
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаROHM Semiconductor
упаковка / блокSOT-323-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:49:52
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль