2SC3649T-TD-E, 160V 500mW 1.5A NPN TO-243AA Bipolar Transistors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2SC3649T-TD-E
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor 2SC3649T-TD-E, 160V 500mW 1.5A NPN TO-243AA ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.15
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.15
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:180 V
collector-emitter saturation voltage:130 mV
collector- emitter voltage vceo max:160 V
configuration:Single
continuous collector current:-1.5 A, 1.5 A
emitter- base voltage vebo:6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:120 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:1.5 A
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-89-3
партномер8017637573
pd - power dissipation:500 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:2SC3649
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:57:45
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль